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長電科技實現4納米芯片封裝 空洞問題急帶解決

[發布日期:2022-11-30 16:38:47] 點擊:


 

  近幾個月,全球領先的集成電路製造和技術服務提供商長電科技宣布,公司在先進封測技術領域又取得新的突破,實現4納米(nm)工藝製程手機芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。

  4納米芯片是5納米之後、3納米之前*先進的矽節點技術,也是導入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領域的頂尖科技產品之一,4納米芯片可被應用於智能手機、5G通信、人工智能、自動駕駛,以及包括GPU、CPU、現場可編程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)等產品在內的高性能計算(HPC)領域。

  在市場的不斷推動下,包括消費電子等領域產品不斷朝向小型化與多功能化發展,芯片尺寸越來越小、種類越來越多,對先進封測技術的需求也越來越高。諸如4納米等先進工藝製程芯片,需要先進的封裝技術以確保其更好的係統級電學、熱學性能。

  同時,封裝技術也在向多維異構發展。相比於傳統的芯片疊加技術,多維異構封裝通過導入矽中介層、重布線中介層及其多維結合,來實現更高維度芯片封裝。該中介層封裝的另一特點是能夠優化組合不同的密度布線和互聯從而達到性能和成本的有效平衡。麵向未來,長電科技將依托自身豐富技術沉澱和全球資源,聚焦先進封裝等技術和工藝,持續提升創新和產業化能力;同時,將不斷加深與產業鏈上下遊的協同合作,共同推動集成電路產業的持續發展。

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